倫斯勒理工學(xué)院和其他大學(xué)的一組研究人員表明，特定的半導(dǎo)體缺陷會(huì)影響鈣鈦礦鹵化物保持電子形式的光能的能力。通過(guò)分析垂直凸脊...

對(duì)于來(lái)自于構(gòu)造物內(nèi)部或外部的給構(gòu)造物帶來(lái)影響的振動(dòng)施以控制力，以減輕振動(dòng)，這就是隔振。隨著工業(yè)的快速發(fā)展，為了去除給測(cè)量...

未來(lái)五年內(nèi)，邊緣AI預(yù)計(jì)將以100％以上的速度增長(zhǎng)，是芯片行業(yè)蕞大的趨勢(shì)之一。與基于云的AI相反，推理功能本地嵌入在位于...

整個(gè)存儲(chǔ)器IC市場(chǎng)的預(yù)測(cè)表明，相對(duì)于2019年，2020年對(duì)于NAND和DRAM存儲(chǔ)器而言將是平緩的一年–這種發(fā)展可能部...

在行業(yè)中，我們看到越來(lái)越多的通過(guò)2.5D或3D集成連接性通過(guò)異構(gòu)集成構(gòu)建系統(tǒng)的示例。這些選項(xiàng)有助于解決內(nèi)存問(wèn)題，在受尺寸...

在鋰電池材料的生產(chǎn)過(guò)程中，無(wú)論是隔膜材料的生產(chǎn)或者涂布，還是正負(fù)極材料在箔材上的涂布，都需要用到專(zhuān)業(yè)準(zhǔn)確的大成精密測(cè)厚設(shè)...

晶體管密度將遵循Gordon Moore繪制的路徑。但是由于無(wú)法降低電源電壓，固定功率下的節(jié)點(diǎn)到節(jié)點(diǎn)性能改進(jìn)（稱(chēng)為Den...

在接下來(lái)的八到十年半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)中，CMOS晶體管的密度縮放將大致繼續(xù)遵循摩爾定律。這將主要通過(guò)EUV圖案化的進(jìn)展以及新...

2020年全球硅晶圓片出貨量將同比增長(zhǎng)2.4％，到2021年將繼續(xù)增長(zhǎng)，出貨量將達(dá)到2022年的歷史新高。

光刻是集成電路重要的加工工藝，他的作用，如同金工車(chē)間中車(chē)床的作用。在整個(gè)芯片制造工藝中，幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施，都離不開(kāi)光刻...