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一種MEMS器件可靠性測(cè)試方法
2020-12-31
MEMS器件可靠性測(cè)試的主要目的是測(cè)試MEMS的可靠性和使用壽命。
紫外光(DUV)與氮化鎵器件性能的關(guān)系
2020-12-29
如文中所示,在紫外線照射下確定石墨烯-GaN異質(zhì)結(jié)界面。研究人員展示了在單獨(dú)式GaN氮化鎵器件上利用單層石墨烯制造垂直肖...
中韓半導(dǎo)體材料供應(yīng)商的發(fā)展機(jī)遇
2020-12-24
提供電子材料信息的咨詢服務(wù)公司TECHCET宣布,中國(guó)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商正在逐步占領(lǐng)韓國(guó)芯片制造(fab)生產(chǎn)線的市場(chǎng)份額...
怎么測(cè)量MEMS器件結(jié)構(gòu)微觀力學(xué)參數(shù)?
2020-12-22
本文主要介紹一種測(cè)量MEMS器件結(jié)構(gòu)微觀力學(xué)參數(shù)的技術(shù)方法。行業(yè)內(nèi),將微觀的機(jī)械功能單元與半導(dǎo)體電子器件直接集成到硅級(jí)的...
一種用于晶圓片混合鍵合3D異構(gòu)集成的技術(shù)
2020-12-18
本文主要介紹一種用于晶圓片混合鍵合3D異構(gòu)集成的技術(shù)。隨著傳統(tǒng)的2D硅縮放達(dá)到其成本極限,半導(dǎo)體行業(yè)正在轉(zhuǎn)向異構(gòu)集成-將...
中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)分析
2020-12-14
本文主要是論述中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)分析。隨著中美之間的關(guān)稅和貿(mào)易緊張局勢(shì),中國(guó)各地的部門和公司加倍了決心,以迅...
如何借助微納技術(shù)對(duì)MEMS微流量傳感器進(jìn)行原型測(cè)試?
2020-12-11
此文主要是介紹了如何借助微納技術(shù)對(duì)MEMS微流量傳感器進(jìn)行原型測(cè)試。微流量傳感器是一種熱力學(xué)流傳感器,其敏感體主要由硅基...
微納技術(shù)在晶圓上MEMS參數(shù)測(cè)量的應(yīng)用
2020-12-07
一方面,它們可以高分辨率地確定晶圓表面形貌,另一方面,它們也可以對(duì)動(dòng)態(tài)運(yùn)動(dòng)行為進(jìn)行精確表征。有源微機(jī)電結(jié)構(gòu)元件(如MEM...
怎么通過(guò)低溫鍵合技術(shù)改善氮化鎵器件的散熱性能?
2020-12-04
將氮化鎵(GaN)等寬帶隙材料與金剛石等導(dǎo)熱材料集成在一起的室溫低溫鍵合技術(shù)可以提高GaN器件的散熱效果,并擁有更高的功...
芯片廠如何提高生產(chǎn)出來(lái)的芯片的質(zhì)量?
2020-12-02
新技術(shù)和工藝將使生產(chǎn)密度更高,速度更快,功能更強(qiáng)大的芯片成為可能。但是芯片廠同時(shí)也需要采取必要的措施和工藝提高生產(chǎn)出來(lái)的...
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