光刻技術(shù)有哪些分類

光刻技術(shù)是將二維圖案轉(zhuǎn)印到平坦基板上的方法。可以通過以下兩種基本方法之一實現(xiàn)圖案化：直接寫入圖案，或通過掩模版/印章轉(zhuǎn)移圖案。限定的圖案可以幫助限定襯底上的特征（例如蝕刻），或者可以由沉積的圖案形成特征。

通過計算機輔助設(shè)計（CAD）定義圖案模式。多數(shù)情況下，這些特征是使用抗蝕劑形成的，可以使用光（使用光致抗蝕劑），電子束（使用電子束抗蝕劑）或通過物理沖壓（不需要抗蝕劑，也叫納米壓?。﹣矶x圖案特征。圖案的特征可以被轉(zhuǎn)移到另一個層蝕刻，電鍍或剝離。

1. 技術(shù)領(lǐng)域

根據(jù)所需的特征，有幾種不同的光刻方法。蕞常見的類型是光學(xué)光刻和電子束光刻。我們還提供軟和直接寫光刻。

下表比較了我們可用的一些常見光刻方法。批處理是指能夠一次對整個樣品進行圖案化的能力，例如通過光掩?；蚴褂脡耗５膶懭敕椒枋隽瞬牧鲜侨绾涡纬蓤D案，例如通過UV光，電子束，或直接機械接觸。

表1  常見的光刻技術(shù)類型

圖1  EVG無掩模光刻技術(shù)

2. 光學(xué)光刻

在光學(xué)光刻中，光致抗蝕劑通過光掩模用紫外光曝光。此方法可以圖案化多種功能，但分辨率有限。為了獲得更高的分辨率，使用了較短波長的光（G線435.8nm，H線404.7nm，I線265.4nm）。我們有這個光學(xué)光刻系統(tǒng)：

      接觸光刻：利用我們提供的系統(tǒng)，蕞小特征約為0.8μm，蕞小對準公差約為0.5μm。

3. 電子束光刻

代替在光學(xué)光刻中使用光源，電子束（電子束）光刻利用電子束在樣品上生成圖案。由于波長短得多，因此我們可以實現(xiàn)更高的分辨率；但是，由于它是單個電子束寫入樣品，因此在樣品上生成圖案所需的時間更長。使用標準抗蝕劑，電子束工具可以實現(xiàn)蕞小7 nm的特征以及1 nm的對準公差。這是直接寫技術(shù)。

4. 軟光刻

這將使用預(yù)先生成的模具作為基礎(chǔ)來創(chuàng)建三維結(jié)構(gòu)。將諸如聚二甲基硅氧烷（PDMS）之類的軟材料倒入模具中并固化。當(dāng)它從表面剝離時，它保持了陰模的狀態(tài)。PDMS材料通常附著到另一層，例如玻璃或另一層PDMS。軟光刻通常與較大的特征器件相關(guān)聯(lián)。具有20至5000 μm范圍內(nèi)的特征的微流體系統(tǒng)通常是使用軟光刻技術(shù)生產(chǎn)的。另外，我們的用戶通過稱為納米壓印光刻的技術(shù)使用該技術(shù)來生產(chǎn)納米結(jié)構(gòu)。

5. 直接光刻

如果圖案僅將被使用一次，則直接產(chǎn)生比在模板上產(chǎn)生用于在樣品上產(chǎn)生圖案的掩模更為經(jīng)濟。直接寫入用于創(chuàng)建光刻掩模，還可以用于生成不同的高度或灰度特征。我們可以使用設(shè)備進行直接光刻印刷。

     無掩模光刻：使用我們的無掩模光刻系統(tǒng)，我們可以實現(xiàn)蕞小2μm的特征和0.5μm的對準公差。

6. 應(yīng)用領(lǐng)域

平版印刷術(shù)用于在用戶不希望影響其整個樣品的工藝步驟（主要是沉積或蝕刻）之前對樣品進行構(gòu)圖。在蝕刻之前，使用光刻技術(shù)來形成抗蝕劑保護層，該保護層僅將材料保留在存在抗蝕劑的位置（負圖案）。在使用沉積光刻進行剝離之前，在沉積之后剝離抗蝕劑，僅留下沒有抗蝕劑的材料（正圖案）。

7. 典型過程

1）從干凈的基材和掩模版開始。如果掩?；蚧迳嫌蓄w粒，則可能導(dǎo)致抗蝕劑覆蓋率不均勻，從而導(dǎo)致許多器件出現(xiàn)錯誤。

2）脫水烘烤樣品。這樣可以輕除表面上的水分，并改善與表面的附著力。通常，當(dāng)表面仍然有水分時，抗蝕劑會在烘烤過程中起泡。

3）旋轉(zhuǎn)抗蝕劑（通常在助粘劑之后）。這需要均勻地涂覆表面，否則曝光將不一致。

4）輕輕烘烤抗蝕劑，這會將抗蝕劑中的溶劑輕除掉。過多的軟烘烤會降低抗蝕劑的靈敏度。

5）暴露抗蝕劑（請參閱前面的部分）

6）在某些抗蝕劑中，需要后曝光烘烤（PEB）。這將使酸在抗蝕劑中分布，從而破壞鍵。這樣可以使抗蝕劑的側(cè)壁輪廓更直。

7）顯影抗蝕劑。顯影劑的類型取決于抗蝕劑和基底。與手動方法相比，自動顯影系統(tǒng)將具有更好的重現(xiàn)性。

8）有些抗蝕劑需要硬烤，而另一些則不需要。確保您遵循所使用抗蝕劑的推薦做法。

8. 主要參數(shù)

8.1 特征尺寸

這通常稱為蕞小特征尺寸或關(guān)鍵尺寸（CD），這是設(shè)計的蕞小部分?？蓪崿F(xiàn)的CD取決于您使用的光刻類型以及要在其上構(gòu)圖的表面的拓撲。

8.2 對準

對準是指兩層彼此對準，在許多設(shè)計中非常重要。良好的設(shè)計在創(chuàng)建設(shè)計時會考慮不對準的情況，以確保在兩層未對準的情況下設(shè)備仍能正常工作。

圖2  EVG掩模對準機

8.3 圖案復(fù)制

模式再現(xiàn)是指該模式將被再現(xiàn)多少次。這是一次性模式嗎？如果是這樣，您可以直接在表面上書寫圖案。但是，如果需要將其復(fù)制數(shù)千次，則直接寫入效率很低，而使用用于生成圖案的掩?；蚰＞咝矢?。

8.4 抗蝕膜厚度

膜厚是指抗蝕劑層的厚度。通常，這可以在Thetametrisis膜厚儀上測量，以微米或埃為單位?？刮g劑層的厚度取決于在抗蝕劑上旋轉(zhuǎn)的速度。

圖3  Thetametrisis膜厚儀

8.5 可選擇性

選擇性是指不同材料反應(yīng)速度的比較。如果要通過蝕刻工藝進行平版印刷，則需要考慮選擇性來確定薄膜厚度。如果抗蝕劑的蝕刻速率與基材的蝕刻速率相似，則您的工藝選擇性低，您將需要更大的膜厚。

選擇性也用于討論發(fā)展。如果曝光的抗蝕劑的顯影速度比未曝光的抗蝕劑高得多，那么您的選擇性就很高。開發(fā)人員的選擇性可以幫助您確定開發(fā)時間。

9. 用料

9.1 光刻膠

抗蝕劑是懸浮在溶劑中的聚合物。根據(jù)抗蝕劑的類型，可以使用紫外線或電子束選擇性地將其除去。可以將所有抗蝕劑大致分為正抗蝕劑或負抗蝕劑，蕞常見的是正抗蝕劑。在正性抗蝕劑中，在顯影抗蝕劑后將暴露的區(qū)域除去。在負性抗蝕劑中，在顯影抗蝕劑后仍保留了暴露的區(qū)域。

不同類型的光刻使用不同類型的抗蝕劑，因此您需要檢查哪種抗蝕劑適合您的工藝。

9.2 顯影劑

顯影劑是用于在曝光后蝕刻掉光致抗蝕劑的基礎(chǔ)。幾種可用的顯影劑：AZ 726，AZ 300，AZ 400K，MF 319和Microposit Developer。可以在設(shè)備上使用顯影劑。需要檢查每個設(shè)備是否允許或允許哪些顯影劑。

9.3 掩模版

掩模版用于在曝光期間阻擋光線，因此僅曝光所需圖案內(nèi)的光刻膠。如果在多個樣本中需要相同的模式，這將很有用。掩模是具有一層鉻和一層光刻膠的玻璃或熔融石英襯底。光刻膠以所需的圖案曝光，然后顯影。之后，使用鉻蝕刻在掩模中設(shè)置圖案。