IHP 與 EVG 合作開發(fā)用于下一代通信設(shè)備的低溫共價晶圓鍵合技術(shù)

ST.奧地利弗洛里安/德國法蘭克福（奧得河），2018年11月12日 — EV集團（EVG）是面向MEMS，納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場的晶片鍵合和光刻設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商，今 天宣布，IHP-高性能微電子技術(shù)創(chuàng)新（IHP）是德國一家基于硅的系統(tǒng)，蕞高頻率集成電路以及無線和寬帶通信技術(shù)的研究所，已購買了EVG®ComBond®自動化高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，用于開發(fā)下一代無線技術(shù)和寬帶通信設(shè)備。

       EVG ComBond具有微米級晶圓間對準(zhǔn)精度和室溫共價鍵合功能，可實現(xiàn)多種基板和互連組合，以生產(chǎn)先進的工程基板，下一代MEMS和功率器件，堆疊式太陽能電池以及高性能邏輯和“超越CMOS”器件。低溫下進行無氧化物鋁-鋁（Al-Al）直接鍵合的能力是EVG ComBond平臺的獨特功能，也是IHP將在系統(tǒng)中探索的新鍵合應(yīng)用之一。

共價鍵合可實現(xiàn)晶圓級封裝
       異構(gòu)集成通過晶圓級封裝（WLP）的異構(gòu)集成-將具有不同設(shè)計節(jié)點，尺寸或材料的多個半導(dǎo)體組件在晶圓級組合到單個封裝中-是擴展晶圓級封裝的關(guān)鍵。半導(dǎo)體技術(shù)路線圖。金屬和混合晶圓鍵合是WLP和異構(gòu)集成的關(guān)鍵工藝技術(shù)，因為它們能夠在堆疊的器件或組件之間實現(xiàn)超細間距互連。為了不斷提高這些集成系統(tǒng)的性能和功能性，需要不斷減小互連的尺寸和間距，從而又需要更嚴(yán)格的晶圓鍵合對準(zhǔn)精度。

       此外，對于某些WLP應(yīng)用，由于鋁的低成本以及高的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性，Al-Al直接鍵合是一種有前途的金屬基鍵合新方法。但是，常規(guī)的Al-Al熱壓鍵合需要高溫和鍵合力才能提供可靠的鍵合界面，從而使其與異質(zhì)集成工作不兼容。

       EV Group執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner表示：“將不同的材料和設(shè)備組件組合到一個包裝中對于提高電子設(shè)備的性能和價值越來越重要。EVG ComBond有助于以晶圓形式粘合幾乎“任何東西”。這為我們的客戶提供了強大的解決方案，用于研究未來半導(dǎo)體器件的新材料組合。它的微米級對準(zhǔn)能力也使EVG ComBond特別適合用于新興異質(zhì)集成器件設(shè)計的大批量生產(chǎn)?！?/span>

       EVG突破性的ComBond晶圓活化技術(shù)以及高真空處理技術(shù)可在室溫或低溫下形成共價鍵，從而制造工程化的基板和器件結(jié)構(gòu)。EVG ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的粘合，并通過獨特的氧化物去除工藝促進了導(dǎo)電粘合界面的形成。EVG ComBond在整個粘合過程中都保持高真空和無氧化物的環(huán)境，從而實現(xiàn)了金屬（例如鋁）的低溫粘合，這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合，都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的粘結(jié)界面以及出色的粘結(jié)強度。

關(guān)于EV集團（EVG）

       EV Group（EVG）是制造半導(dǎo)體，微機電系統(tǒng)（MEMS），化合物半導(dǎo)體，功率器件和納米技術(shù)器件的設(shè)備和工藝解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商。主要產(chǎn)品包括晶圓鍵合，薄晶圓處理，光刻/納米壓印光刻（NIL）和計量設(shè)備，以及光刻膠涂布機，清潔劑和檢查系統(tǒng)。成立于1980年的EV Group服務(wù)于復(fù)雜的全球客戶和合作伙伴網(wǎng)絡(luò)，并為其提供支持。有關(guān)EVG的更多信息，請訪問dzdswkj.com。

關(guān)于IHP –高性能微電子（IHP）的創(chuàng)新

       IHP是萊布尼茲協(xié)會（Leibniz Association）的研究所，從事基于硅的系統(tǒng)以及包括新材料在內(nèi)的超高頻電路和技術(shù)的研究與開發(fā)。它為無線和寬帶通信，安全性，醫(yī)療技術(shù)，工業(yè)4.0，汽車工業(yè)和航空航天等應(yīng)用領(lǐng)域開發(fā)創(chuàng)新的解決方案。IHP擁有大約300名員工。它在1000平方米的1級無塵室中運行一條試驗線，以進行技術(shù)開發(fā)和使用0.13 / 0.25 μm BiCMOS技術(shù)制備高速電路。