【儲(chǔ)存器研發(fā)】三星加速開(kāi)發(fā)160層或更高堆疊層數(shù)的3D NAND Flash

       當(dāng)前，3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品量產(chǎn)的最高堆疊層數(shù)為128層，不過(guò)三星正在研發(fā)更高層數(shù)的快閃存儲(chǔ)器。

       據(jù)韓國(guó)媒體《ETnews》近日?qǐng)?bào)道，三星目前正在開(kāi)發(fā)具有160層或更高層的第7代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，并且在相關(guān)技術(shù)方面已經(jīng)取得重大進(jìn)展。

       《ETnews》指出，三星的第7代V-NAND快閃存儲(chǔ)器將采用“雙堆疊”的技術(shù)來(lái)達(dá)到更多堆疊層的目的。就現(xiàn)階段來(lái)說(shuō)，如果完成160層堆疊的V-NAND快閃存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)，將成為業(yè)界最高堆疊層數(shù)的產(chǎn)品。

       報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)中，這稱(chēng)為3D NAND Flash的快閃存儲(chǔ)器，三星則是稱(chēng)為V-NAND快閃存儲(chǔ)器。堆疊層數(shù)的多少是3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器廠商的核心競(jìng)爭(zhēng)力，而目前三星是被公認(rèn)為業(yè)界技術(shù)最先進(jìn)的廠商。另外，三星在2019年也以166.7億美元（約20萬(wàn)億韓圜）的營(yíng)收，在全球3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)上成為龍頭，市占率達(dá)到35.9%。

       值得一提的是，盡管新冠肺炎疫情爆發(fā)，三星仍在繼續(xù)進(jìn)行存儲(chǔ)器生產(chǎn)與研發(fā)的投資，其中包括對(duì)西安的NAND Flash快閃存儲(chǔ)器工廠進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。除了三星之外，韓國(guó)另一個(gè)存儲(chǔ)器大廠SK Hynix也在2019年宣布了發(fā)展規(guī)劃，并且在2020年恢復(fù)了存儲(chǔ)器產(chǎn)品的投資。由于存儲(chǔ)器為韓國(guó)的重要產(chǎn)業(yè)，因此預(yù)計(jì)未來(lái)的投資還將持續(xù)擴(kuò)大。（以上內(nèi)容來(lái)自全球半導(dǎo)體觀察）

       而EVG的鍵合機(jī)是能用于實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)存器晶圓鍵合和堆疊的設(shè)備，在世界范圍內(nèi)是領(lǐng)先的。如果要了解更多的信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)我們的網(wǎng)站：dzdswkj.com，進(jìn)入到產(chǎn)品中心，了解更多關(guān)于鍵合機(jī)的信息。